BFR193F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
BFR193F |
參數(shù)屬性 | BFR193F 封裝/外殼為SOT-723;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3 |
功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
封裝外殼 | SOT-723 |
文件大小 |
54.04 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-2 9:39:00 |
BFR193F規(guī)格書詳情
BFR193F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFR193F晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
NPN Silicon RF Transistor*
? For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz
? For linear broadband amplifiers
? fT = 8 GHz, F = 1 dB at 900 MHz
? Pb-free (RoHS compliant) package1)
? Qualified according AEC Q101
* Short term description
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
BFR193FH6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
12V
- 頻率 - 躍遷:
8GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 增益:
12.5dB
- 功率 - 最大值:
580mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 30mA,8V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
80mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-723
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TSFP-3
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TSFP-3 |
7188 |
秉承只做原裝 終端我們可以提供技術(shù)支持 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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23+ |
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INFINEON/英飛凌 |
22+ |
SOT323 |
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原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持 |
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INFINEON |
24+ |
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INF |
23+ |
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Infineon |
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INFINEON/英飛凌 |
2022 |
SOT323 |
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INFINEON/英飛凌 |
23+ |
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