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BFR193分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFR193
廠商型號

BFR193

參數(shù)屬性

BFR193 封裝/外殼為SOT-723;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3

功能描述

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers)

封裝外殼

SOT-723

文件大小

56.92 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-6 9:42:00

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晶體管資料

  • 型號:

    BFR193

  • 別名:

    BFR193三極管、BFR193晶體管、BFR193晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_超高頻/特高頻 (UHF)_寬頻帶

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.08A

  • 最大工作頻率:

    8GHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    2SC3356,2SC3445,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    20

  • htest:

    8000000000

  • atest:

    0.08

  • wtest:

    0

BFR193規(guī)格書詳情

NPN Silicon RF Transistor

? For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz

? For linear broadband amplifiers

? fT= 8GHz F= 1.3dB at 900MHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFR193FH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 功率 - 最大值:

    580mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 30mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-723

  • 供應商器件封裝:

    PG-TSFP-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
2019+
SOT-23
78550
原廠渠道 可含稅出貨
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INFINEON/英飛凌
2223+
SOT-23
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險
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INFINEON/英飛凌
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