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BFR183分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFR183
廠商型號

BFR183

參數屬性

BFR183 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

功能描述

NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

絲印標識

RHs

封裝外殼

SOT-23 / SC-70,SOT-323

文件大小

80.14 Kbytes

頁面數量

7

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-6 9:45:00

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晶體管資料

  • 型號:

    BFR183

  • 別名:

    BFR183三極管、BFR183晶體管、BFR183晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質:

    表面帖裝型 (SMD)_超高頻/特高頻 (UHF)_寬頻帶

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.065A

  • 最大工作頻率:

    8GHZ

  • 引腳數:

    3

  • 可代換的型號:

    BFR193,2SC3445,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    20

  • htest:

    8000000000

  • atest:

    0.065

  • wtest:

    0

BFR183規(guī)格書詳情

BFR183屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產的BFR183晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

? For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA

? fT = 8 GHz, NFmin = 0.9 dB at 900 MHz

? Pb-free (RoHS compliant) package

? Qualification report according to AEC-Q101 available

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    BFR183WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    8GHz

  • 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):

    0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 功率 - 最大值:

    450mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 15mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應商器件封裝:

    PG-SOT323

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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