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1N6819中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

1N6819
廠商型號(hào)

1N6819

功能描述

LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE

文件大小

88.81 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 15:00:00

1N6819規(guī)格書詳情

Features

● Tungsten schottky barrier

● Oxide passivated structure for very low leakage currents

● Guard ring protection for increased reverse energy capability

● Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

● Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

● Low package inductance

● Very low thermal resistance

● Available as standard polarity (strap is anode: 1N6819) and reverse

polarity (strap is cathode: 1N6819R)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    1N6819

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全稱:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MICROCHIP
23+
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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MICROCHIP
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23+
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳
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一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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