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1N6819中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

1N6819
廠商型號

1N6819

功能描述

LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE

文件大小

88.81 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-27 16:59:00

1N6819規(guī)格書詳情

Features

● Tungsten schottky barrier

● Oxide passivated structure for very low leakage currents

● Guard ring protection for increased reverse energy capability

● Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

● Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

● Low package inductance

● Very low thermal resistance

● Available as standard polarity (strap is anode: 1N6819) and reverse

polarity (strap is cathode: 1N6819R)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    1N6819

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全稱:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE

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