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1N6819R

LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE

Features ●Tungstenschottkybarrier ●Oxidepassivatedstructureforverylowleakagecurrents ●Guardringprotectionforincreasedreverseenergycapability ●Epitaxialstructureminimizesforwardvoltagedrop ●Hermeticallysealed,lowprofileceramicsurfacemountpowerpackage ●Lowpa

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N6819

LOWLEAKAGECURRENTSCHOTTKYDIODE

Features ●Tungstenschottkybarrier ●Oxidepassivatedstructureforverylowleakagecurrents ●Guardringprotectionforincreasedreverseenergycapability ●Epitaxialstructureminimizesforwardvoltagedrop ●Hermeticallysealed,lowprofileceramicsurfacemountpowerpackage ●Lowpa

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    1N6819R

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全稱:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道??商峁┐罅繋?kù)存,詳
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更多1N6819R供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-27 11:06:00