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SCT020H120G3AG

Marking:20H120G3AG;Package:H2PAK-7;Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mΩ typ., 100 A in an H2PAK-7 package

Features ?AEC-Q101qualified ?VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange ?Highspeedswitchingperformances ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications ?Maininverter(electrictraction) ?DC/DCconverterforEV/HEV

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多20H120G3AG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-15 10:19:00