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20N06L	文件：896.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CEB20N06	文件：86.42 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,28A,RDS(ON)=40m?@VGS=10V. RDS(ON)=50m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB20N06	文件：417.98 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED20N06	文件：84.8 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
CED20N06	文件：124.65 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,20A,RDS(ON)=55m?@VGS=10V. RDS(ON)=75m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP20N06	文件：86.42 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,28A,RDS(ON)=40m?@VGS=10V. RDS(ON)=50m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU20N06	文件：124.65 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,20A,RDS(ON)=55m?@VGS=10V. RDS(ON)=75m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU20N06	文件：84.8 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
CEU20N06	文件：899.41 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CHM20N06PAPT	文件：200.41 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT20Ampere FEATURE ???????Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CJU20N06	文件：2.12246 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
CJU20N06	文件：2.50706 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
CMD20N06L	文件：899.26 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
D20N06E	文件：468.31 Kbytes Page：6 Pages	20Amps,55VoltsN-CHANNELPowerMOSFET	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實業(yè)重慶平偉實業(yè)股份有限公司	CHONGQING
EMB20N06E	文件：219.6 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FQB20N06	文件：669.82 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQB20N06L	文件：680.44 Kbytes Page：9 Pages	60VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD20N06	文件：660.63 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD20N06	文件：899.11 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
FQD20N06	文件：305.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.063Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市鵬和科技有限公司	20N06L		24+	SOT-252	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市拓億芯電子有限公司	20N06L	臺灣CMD	23+	TO252	15000	全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢	詢價
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團有限公司	20N06L	VBsemi/臺灣微碧	21+	SOT-252	10001	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市國宇半導體科技有限公司	20N06L	I	23+	SOT-252	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市能創(chuàng)芯電子科技有限公司	20N06L	INFINEON	23+	SOT-252	3000	原裝正品假一罰百!可開增票!	詢價
深圳市創(chuàng)盛芯科技有限公司	20N06L	-	24+	TO-252	1470	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	20N06L	I	22+	SOT-252	6000	十年配單,只做原裝	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	20N06L	I	22+	SOT-252	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	20N06L	INFINEON	23+	SOT-252	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	20N06L	INFINEON	23+	SOT-252	7000		詢價

更多20N06L供應(yīng)商更新時間2024-11-8 10:20:00

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