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NP23N06YDG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP23N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=27mΩMAX.(VGS=10V,ID=11.5A) ?LowCiss:Ciss=1200pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Logicleveldrivetype ?Des

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP23N06YDG

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

SG23N06DT

DiscreteIGBTs

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司

SG23N06DT

DiscreteIGBTs

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

SG23N06T

DiscreteIGBTs

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司

SG23N06T

DiscreteIGBTs

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

SUD23N06

MOSFET

FEATURES VDS(V)=60V ID=30A(VGS=10V) RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

SUD23N06

SUD23N06

FEATURES VDS(V)=60V ID=30A(VGS=10V) RDS(ON)25m(VGS=10V) RDS(ON)30m(VGS=4.5V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多23N06供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-12 11:04:00

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