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2ED2103S06F

650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode

Features ?UniqueInfineonThin-Film-SiliconOnInsulator(SOI)-technology ?NegativeVStransientimmunityof-100V ?Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation ?Operatingvoltages(VSnode)upto+650V ?Maximumbootstrapvoltage(VBnode)of+675V ?Integratedultra-fast,low

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2ED2103S06F

650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2ED2103S06FXUMA1

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：LEVEL SHIFT SOI

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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SMD
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C33-外殼
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更多2ED2103S06F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-4 11:00:00

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