首頁 >芯片絲印>2N

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

2N7002DW

Marking：2N；Package：SC70-6；Field Effect Transistor - N-Channel, Enhancement Mode

Features ?DualN?ChannelMOSFET ?LowOn?Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?Ultra?SmallSurfaceMountPackage ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N7002DW

Marking：2N；Package：SOT-363；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features ?DualN-ChannelMOSFET ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N7002HW

Marking：2N；Package：SC-70；60 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT323(SC-70) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Logic-levelcompatible ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

2N7002W

Marking：2N；Package：SOT-323；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BAT754S

Marking：2N；Package：SOT23；Schottky barrier diodes

1.1Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstressprotection, encapsulatedinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 1.2Featuresandbenefits ?Lowforwardvoltage ?Lowcapacitance ?AEC-Q101qualified 1.3

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BAT754S-Q

Marking：2N；Package：SOT23；Dual Schottky barrier diode

1.Generaldescription PlanardualSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulated inasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Lowforwardvoltage ?Lowcapacitance ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101and

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BZX884S-B8V2

Marking：2N；Package：DFN1006BD-2；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanultrasmallSOD882BD(DFN1006BD-2)leadlessSurface MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits ?Leadlessultrasmallplasticpackagewithside-wettableflankssuitableforsurface-mounted

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BZX884S-B8V2-Q

Marking：2N；Package：DFN1006BD-2；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanultrasmallSOD882BD(DFN1006BD-2)leadlessSurface MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits ?Leadlessultrasmallplasticpackagewithside-wettableflankssuitableforsurface-mounted

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

CDSOD323-T36SC

Marking：2N；Package：SOD-323；1-Line Bi-directional Diode

Features| +300Wpeakpulsepower(8/20ps)| +Protectsonedataorpowerline +Operatingvoltage:36V +Ultralowclampingvoltage ?Complieswithfollowingstandards:| IEC610004-2(ESD)immunitytest| Airdischarge:￡30kV Contactdischarge:￡30kV ?—IEC61000-4-5(SURGE)SA

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

D15V0S1U3LP20-7

Marking：2N；Package：U-DFN2020-3；1 CHANNEL HIGH SURGE TVS DIODE

Features ?ProvidesESDProtectionperIEC61000-4-2Standard: Air±30kV,Contact±30kV ?OneChannelofESDProtection ?LowChannelInputCapacitance ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Forautomotiveapplications

DIODES

Diodes Incorporated

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    2N100

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Ge-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_射頻/高頻放大 （HF）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    25V

  • 最大電流允許值：

    0.005A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    AC127,AC176,AC187,ASY28,ASY29,2N1304,2SD30,3BG1,

  • 最大耗散功率：

    0.025W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    D-161

  • vtest：

    25

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.005

  • wtest：

    0.025

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2N

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 功能描述：

    Bulk

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ADI/亞德諾
24+
SOT23
177
現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
ADI/亞德諾
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
 詢價
WILLSEMI
23+
SOT-723
15000
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
 詢價
MPS/美國芯源
22+
QFN
25000
只做原裝,原裝,假一罰十
 詢價
Agilent
23+
16000
現(xiàn)貨庫存
 詢價
ON/安森美
23+
1230+
6500
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
LRC/樂山
23+
SOT-23
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
MAXIM/美信
09+
1000
進口原裝現(xiàn)貨假一賠萬力挺實單
 詢價
LRC/樂山
24+
NA/
4480
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
 詢價
SYLVANIA
2022+
14
全新原裝 貨期兩周
 詢價
更多2N供應(yīng)商 更新時間2025-4-22 16:25:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多