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TCR5BM23A

Marking：2N3；Package：DFN5B；500 mA CMOS Ultra Low Dropout Regulator

1.Description TheTCR5BMseriesareCMOSsingle-outputvoltageregulatorswithanon/offcontrolinput,featuringultralowdropoutvoltage,highPSRR,lowinrushcurrentandfastloadtransientresponse. Adifferentiatingfeatureistheuseofasecondarybiasrailasareferencevoltagethat

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2N3810K1

Marking：2N3810K1；Package：Flat-8；Rad-Hard 60 V, 0.05 A PNP dual matched transistor

Features ?Hermeticpackages ?ESCCandJANSqualified ?Upto100krad(Si)lowdoserate Description 2N3810KandSOC3810HRaresiliconplanarPNPdualmatchedtransistors packagedinFlat-8andLCC-6respectivelyandavailablein100kradversions.They arespecificallydesignedforaero

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

2N3828

Marking：2N3828；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

Features GeneralPurposeAmplifierTransistor

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2N3828-TA

Marking：2N3828；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

Features GeneralPurposeAmplifierTransistor

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2N3904

Marking：2N3904；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

Features NPNsiliconepitaxialplanartransistorforswitchingand Amplifierapplications Ascomplementarytype,thePNPtransistor2N3906is Recommended ThistransistorisalsoavailableintheSOT-23casewith thetypedesignationMMBT3904

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2N3904-TA

Marking：2N3904；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

Features NPNsiliconepitaxialplanartransistorforswitchingand Amplifierapplications Ascomplementarytype,thePNPtransistor2N3906is Recommended ThistransistorisalsoavailableintheSOT-23casewith thetypedesignationMMBT3904

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2N3906

Marking：2N3906；Package：T0-92；T0-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURE§ ?PNPsiliconepitaxialplanartransistorforswitchingand Amplifierapplications ?Ascomplementarytype,theNPNtransistor2N3904is Recommended ?ThistransistorisalsoavailableintheSOT-23casewith thetypedesignationMMBT3906

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

OPA2387DSGR

Marking：2N3H；Package：WSON；OPAx387 Ultra-High Precision, Zero-Drift, Low-Input-Bias-Current Op Amps

1Features ?Ultra-lowoffsetvoltage:±2μV(maximum,tested) ?Zerodrift:±0.003μV/°C ?Low-inputbiascurrent:150pA(maximum,tested) ?Lownoise:8.5nV√Hzat1kHz ?No1/fnoise:177nVPP(0.1Hzto10Hz) ?Common-modeinputrange±100mVbeyond supplyrails ?Gainbandwidth:5.

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

OPA2387DSGT

Marking：2N3H；Package：WSON；OPAx387 Ultra-High Precision, Zero-Drift, Low-Input-Bias-Current Op Amps

1Features ?Ultra-lowoffsetvoltage:±2μV(maximum,tested) ?Zerodrift:±0.003μV/°C ?Low-inputbiascurrent:150pA(maximum,tested) ?Lownoise:8.5nV√Hzat1kHz ?No1/fnoise:177nVPP(0.1Hzto10Hz) ?Common-modeinputrange±100mVbeyond supplyrails ?Gainbandwidth:5.

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

OPA2387DSGR

Marking：2N3H；Package：WSON；OPAx387 Ultra-High Precision, Zero-Drift, Low-Input-Bias-Current Op Amps

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

晶體管資料

  • 型號：

    2N30

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Ge-NPN

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_射頻/高頻放大 （HF）

  • 封裝形式：

    特殊封裝

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    0.007A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

    AC124,AC125,AC126,AC127,AF200,AF126,2N3323,2N3324,2N3325,3AG53C,

  • 最大耗散功率：

    0.1W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    30

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.007

  • wtest：

    0.1

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2N3

  • 制造商：

    BOCA

  • 制造商全稱：

    Boca Semiconductor Corporation

  • 功能描述：

    SCRs(Silicon Controlled Rectifiers)

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2N3供應商 更新時間2025-3-24 15:51:00

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