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2N5199中文資料InterFET數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N5199
廠商型號(hào)

2N5199

功能描述

N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor

文件大小

418.22 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 InterFET Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

InterFET

中文名稱

InterFET Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-20 17:55:00

2N5199規(guī)格書詳情

? Differencial Inputs

Absolute maximum ratings at TA = 25°C

Reverse Gate Source & Gate Drain Voltage -50V

Continuous Forward Gate Current 50 mA

Continuous Device Power Dissipation 300 mW

Power Derating 2.6 mW/°C

Storage Temperature Range -65°C to +150°C

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2N5199

  • 功能描述:

    JFET 50V 15pA

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性:

    N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的

  • Idss):

    50 mA 漏源電壓

  • VDS:

    15 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    50 mA

  • 封裝/箱體:

    SC-59

  • 封裝:

    Reel

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