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2N5308分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N5308
廠商型號

2N5308

參數(shù)屬性

2N5308 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA);包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO92-3

功能描述

NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

文件大小

97.23 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Central Semiconductor Corp
企業(yè)簡稱

Central

中文名稱

美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-13 17:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N5308

  • 別名:

    2N5308三極管、2N5308晶體管、2N5308晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_前置放大 (V)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    40V

  • 最大電流允許值:

    0.3A

  • 最大工作頻率:

    >60MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BC517,BC617,MPS-A25,MPS-A26,MPS-A27,MPS-A28,MPS-A29,2SD892A,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍數(shù):

    β>7000

  • 圖片代號:

    A-20

  • vtest:

    40

  • htest:

    60000100

  • atest:

    0.3

  • wtest:

    0.4

2N5308規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5306, 2N5308 types are NPN Silicon EPitaxial Planar Darlington Transistors designed for high gain amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N5308

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.4V @ 200μA,200mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    7000 @ 2mA,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO92-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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