2N5330分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N5330 |
| 參數屬性 | 2N5330 封裝/外殼為TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | NPN POWER TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱 |
| 文件大小 |
179.66 Kbytes |
| 頁面數量 |
1 頁 |
| 生產廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導體產品股份有限公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-9 19:11:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
2N5330三極管、2N5330晶體管、2N5330晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質：
開關管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
特殊封裝
- 極限工作電壓：
150V
- 最大電流允許值：
30A
- 最大工作頻率：
>80MHZ
- 引腳數：
3
- 可代換的型號：
3DK208C,
- 最大耗散功率：
80W
- 放大倍數：
- 圖片代號：
F-28
- vtest：
150
- htest：
80000100
- atest：
30
- wtest：
80
2N5330規(guī)格書詳情
GEOMETRY 511
● IC to 30 Amp
● Fast Switching
產品屬性
- 產品編號：
2N5330
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.8V @ 2mA， 10mA
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
接線柱安裝
- 封裝/外殼：
TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱
- 供應商器件封裝：
TO-61
- 描述：
POWER BJT
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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