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2N5330分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N5330
廠商型號(hào)

2N5330
參數(shù)屬性

2N5330 封裝/外殼為TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：POWER BJT
功能描述

30 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 150 VOLTS
封裝外殼

TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱
文件大小

257.98 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Solid States Devices, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SSDI

中文名稱

Solid States Devices, Inc官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-9 19:11:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N5330

  • 別名：

    2N5330三極管、2N5330晶體管、2N5330晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    特殊封裝

  • 極限工作電壓：

    150V

  • 最大電流允許值：

    30A

  • 最大工作頻率：

    >80MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    3DK208C,

  • 最大耗散功率：

    80W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    F-28

  • vtest：

    150

  • htest：

    80000100

  • atest：

    30

  • wtest：

    80

2N5330規(guī)格書詳情

30 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 150 VOLTS

30 AMP NPN HIGH VOLTAGE/ HIGH ENERGY 200 VOLTS

30 AMP HIGH POWER NPN TRANSISTORS 200 AND 250 VOLTS

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N5330

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.8V @ 2mA， 10mA

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-61

  • 描述：

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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