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2N5401

PNPSiliconAmplifierTransistor625mW

Features ?HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF ?MoistureSensitivityLevel1 ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInformation)

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2N5401

AmplifierTransistors

AmplifierTransistors PNPSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N5401

PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeamplifierHighvoltageapplication)

Description ?Generalpurposeamplifier ?Highvoltageapplication Features ?Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=-160V,VCEO=-150V ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(MAX.) ?Complementarypairwith2N5551

AUK

AUK corp

2N5401

COMPLEMENTARYSILICONGENERALPURPOSEHIGHVOLTAGETRANSISTORS

2N5400,2N5401-->PNP 2N5550,2N5551-->NPN

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

2N5401

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES ?HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=-160V,VCEO=-150V ?LowLeakageCurrent. :ICBO=-50nA(Max.)@VCB=-120V ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.5V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA ?LowNoise:NF=8dB(Max.)

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

2N5401

PNPGeneralPurposeAmplifier

PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.SourcedfromProcess74.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N5401

PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications???

PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications

SEMTECH

Semtech Corporation

2N5401

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

AMPLIFIERTRANSISTOR ●Collector-EmitterVoltage:VCEO=150V ●CollectorDissipation:Pc(max)=625mW

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

2N5401

PNPhigh-voltagetransistor

DESCRIPTION PNPhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPNcomplement:2N5551. FEATURES ?Lowcurrent(max.300mA) ?Highvoltage(max.150V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Telephonyapplications.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

2N5401

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES *Collector-emittervoltage:VCEO=-150V *Highcurrentgain

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2N5401TF_Q

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
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FAIRCHILD/仙童
2022+
28000
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
更多2N5401TF_Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-14 14:02:00

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