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2N5550

SmallSignalTransistorsTO-92Case(Continued)

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

2N5550

AmplifierTransistors

AmplifierTransistors NPNSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

2N5550

COMPLEMENTARYSILICONGENERALPURPOSEHIGHVOLTAGETRANSISTORS

2N5400,2N5401-->PNP 2N5550,2N5551-->NPN

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

2N5550

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES ?HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=160V,VCEO=140V ?LowLeakageCurrent. :ICBO=100nA(Max.)VCB=100V ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.25V(Max.)IC=50mA,IB=5mA ?LowNoise:NF=10dB(Max.)

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

2N5550

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

AmplifierTransistor ?Collector-EmitterVoltage:VCEO=140V ?CollectorDissipation:PC(max)=625mW

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N5550

NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications????

NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications.

SEMTECH

Semtech Corporation

2N5550

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

AmplifierTransistor ?Collector-EmitterVoltage:VCEO=140V ?CollectorDissipation:PC(max)=625mW

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

2N5550

NPNhigh-voltagetransistors

DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplements:2N5400and2N5401. FEATURES ?Lowcurrent(max.300mA) ?Highvoltage(max.160V). APPLICATIONS ?Switchingandamplificationinhighvoltageapplicationssuchastelephony.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

2N5550

mplifierTransistors(NPNSilicon)

AmplifierTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N5550

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES ●Switchingandamplificationinhighvoltage ●Applicationssuchastelephony ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.160V)

KOOCHIN

SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2N5550TAR_Q

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
1535+
1480
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
23+
1480
全新原裝，歡迎來電咨詢
 詢價(jià)
FSC/ON
23+
原包裝原封□□
48424
原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng)QQ1304306553更多詳細(xì)咨詢庫存
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2020+
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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2022+
TO-92-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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23+
33500
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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更多2N5550TAR_Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-20 16:02:00

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