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2N5551分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N5551
廠商型號(hào)

2N5551
參數(shù)屬性

2N5551 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 160V 0.6A TO92
功能描述

General Purpose Switching Application
封裝外殼

TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體
文件大小

2.55967 Mbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Nanjing International Group Co
企業(yè)簡(jiǎn)稱

DGNJDZ【南晶電子】

中文名稱

東莞市南晶電子有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-11 19:15:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N5551

  • 別名：

    2N5551三極管、2N5551晶體管、2N5551晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    視頻輸出 （Vid）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    180V

  • 最大電流允許值：

    0.6A

  • 最大工作頻率：

    >100MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BF391,BF392,BF393,BFP22,BSS48,HY5551,MPS-A42,MPS-A43,2N3440,3DA87C,3DG84G,

  • 最大耗散功率：

    0.625W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    A-31

  • vtest：

    180

  • htest：

    100000100

  • atest：

    0.6

  • wtest：

    0.625

2N5551規(guī)格書詳情

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for general purpose, high voltage amplifier applications.

As complementary types the PNP transistors ST 2N5400 and ST 2N5401 are recommended.

On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N5551

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    200mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 10mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    300MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-92（TO-226）

  • 描述：

    TRANS NPN 160V 0.6A TO92

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
CHINA
22+
TO-39
640
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 詢價(jià)
ST(先科)
23+
TO923
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