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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
2N5551BU	文件：216.64 Kbytes Page：9 Pages	NPN General-Purpose Amplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposehigh-voltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2N5551BU	文件：216.64 Kbytes Page：9 Pages	NPN General-Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2N5551BU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N5551C	文件：707.49 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
2N5551C	文件：30.23 Kbytes Page：1 Pages	TO-92PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
2N5551C	文件：164.94 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES ?HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=180V,VCEO=160V ?LowLeakageCurrent. :ICBO=50nA(Max.),VCB=120V ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.2V(Max.),IC=50mA,IB=5mA ?LowNoise:NF=8dB(Max.)	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
2N5551CN	文件：252.17 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions ?Generalpurposeamplifier ?Highvoltageapplication Features ?Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V,VCEO=160V ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.)	AUK AUK corp	AUK
2N5551CSM	文件：40.33 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGENPNSWITCHINGTRANSISTORINA FEATURES ?SILICONPLANAREPITAXIALNPNTRANSISTOR ?HERMETICCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGE(SOT23COMPATIBLE) ?CECCSCREENINGOPTIONS APPLICATIONS: Hermeticallysealedsurfacemount2N5551forhighreliability/spaceapplicationsrequiringsmallsizeandlowweightdevices.	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N5551DCSM	文件：15.06 Kbytes Page：1 Pages	DualBipolarNPNDevicesinahermeticallysealed DualBipolarNPNDevices. VCEO=160V IC=0.6A	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N5551F	文件：222.58 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N5551G	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N5551G	文件：88.88 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N5551HR	文件：286.63 Kbytes Page：10 Pages	Hi-RelNPNbipolartransistor160V-0.5A Description The2N5551HRisasiliconplanarNPNtransistorspecificallydesignedandhousedinhermeticpackagesforaerospaceandHi-Relapplications.ItisavailableintheJANqualificationsystem(MIL-PRF19500compliance)andintheESCCqualificationsystem(ESCC5000compliance).Incaseo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
2N5551K	文件：543.85 Kbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2N5551K	文件：1.69155 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features GeneralPurposeSwitchingApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2N5551K-TA	文件：1.69155 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features GeneralPurposeSwitchingApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2N5551N	文件：252.38 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions ?Generalpurposeamplifier ?Highvoltageapplication Features ?Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V,VCEO=160V ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.) ?Complementarypairwith2N5401N	AUK AUK corp	AUK
2N5551RLRA	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N5551RLRAG	文件：88.88 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N5551RLRM	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
2N5551BU
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
頻率 - 躍遷：
100MHz
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）
供應(yīng)商器件封裝：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N5551BU	onsemi(安森美)	23+	TO-92-3	1612	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2N5551BU	onsemi	24+	TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!-	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市華康聯(lián)電子科技有限公司	2N5551BU	ONSEMI	24+	N/A	10000	只做原裝,實(shí)單最低價(jià)支持	詢價(jià)
佛山市芯光達(dá)科技有限公司	2N5551BU	FAIRCHILD	2014	TO-92	18000	進(jìn)口原裝假一賠十可開(kāi)增值票	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	2N5551BU	FSC	1215+	TO-92	150000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司大量現(xiàn)貨供應(yīng).	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	2N5551BU	FSC	24+	原廠封裝	20000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	2N5551BU	ONSemiconductor	18+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	2N5551BU	UNKNOWN	23+	NA	5486	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	2N5551BU	原廠	2020+		60000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市納立科技有限公司	2N5551BU		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)

更多2N5551BU供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-18 8:12:00

產(chǎn)品屬性

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