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2N5812中文資料MICRO-ELECTRONICS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N5812
廠商型號

2N5812

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

文件大小

162.69 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Micro Electronics
企業(yè)簡稱

MICRO-ELECTRONICS

中文名稱

Micro Electronics官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-17 15:44:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N5812

  • 別名:

    2N5812三極管、2N5812晶體管、2N5812晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_TR

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    35V

  • 最大電流允許值:

    0.75A

  • 最大工作頻率:

    >135MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BC337,BC338,BC378,BC635,BC637,BC639,BC738,3DK4A,

  • 最大耗散功率:

    0.5W

  • 放大倍數(shù):

    β>150

  • 圖片代號:

    A-23

  • vtest:

    35

  • htest:

    135000100

  • atest:

    0.75

  • wtest:

    0.5

2N5812規(guī)格書詳情

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N5812

  • 制造商:

    ELCIND

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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