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2N5882分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N5882
廠商型號(hào)

2N5882

參數(shù)屬性

2N5882 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

功能描述

Silicon NPN High-Power Transistor

文件大小

98.07 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-4 23:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N5882

  • 別名:

    2N5882三極管、2N5882晶體管、2N5882晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    15A

  • 最大工作頻率:

    >4MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    BD315,BD745B,BDW51B,2N5303,2N5686,2N5620,2N5621,2N5622,2N5623,2N5624,2N5625,2N5626,2N5627,2N5628,2N5629,2N5630,2N5631,3CDA74B,

  • 最大耗散功率:

    160W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-44

  • vtest:

    80

  • htest:

    4000100

  • atest:

    15

  • wtest:

    160

2N5882規(guī)格書詳情

Silicon NPN High-Power Transistor

. . . designed for general–purpose power amplifier and switching applications.

? Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)

? DC Current Gain — hFE = 20 (Min) @ IC = 6.0 Adc

? Low Collector — Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 7.0 Adc

? High Current — Gain–Bandwidth Product — fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 1.0 Adc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N5882

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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