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2N5884分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N5884
廠商型號

2N5884

參數屬性

2N5884 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 80V 25A TO204

功能描述

Complementary Silicon High??ower Transistors
TRANS PNP 80V 25A TO204

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

94.94 Kbytes

頁面數量

6

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-4 9:30:00

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晶體管資料

  • 型號:

    2N5884

  • 別名:

    2N5884三極管、2N5884晶體管、2N5884晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_開關管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    25A

  • 最大工作頻率:

    >4MHZ

  • 引腳數:

    2

  • 可代換的型號:

    BD369,MJ4502,2N5684,2N6377,

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    80

  • htest:

    4000100

  • atest:

    25

  • wtest:

    200

2N5884規(guī)格書詳情

2N5884屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的2N5884晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

Complementary silicon high?power transistors are designed for general?purpose power amplifier and switching applications.

Features

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc

? Low Leakage Current

ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage

? Excellent DC Current Gain ?

hFE = 20 (min) at IC = 10 Adc

? High Current Gain Bandwidth Product ?

f = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc

? Pb?Free Packages are Available*

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    2N5884

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    4V @ 6.25A,25A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 10A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    4MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 25A TO204

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