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2N5885G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N5885G
廠商型號

2N5885G
參數(shù)屬性

2N5885G 封裝/外殼為TO-204AA，TO-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 60V 25A TO204
功能描述

Complementary Silicon High??ower Transistors
TRANS NPN 60V 25A TO204
封裝外殼

TO-204AA，TO-3
文件大小

94.94 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-3 12:26:00

2N5885G規(guī)格書詳情

2N5885G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的2N5885G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

Complementary silicon high?power transistors are designed for general?purpose power amplifier and switching applications.

Features

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc

? Low Leakage Current

ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage

? Excellent DC Current Gain ?

hFE = 20 (min) at IC = 10 Adc

? High Current Gain Bandwidth Product ?

f = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc

? Pb?Free Packages are Available*

產品屬性

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  • 產品編號：

    2N5885G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    4V @ 6.25A，25A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 10A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    4MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-204AA，TO-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-204（TO-3）

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 25A TO204

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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