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2N5935分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N5935
廠商型號

2N5935

參數(shù)屬性

2N5935 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistors

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

142.64 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-27 9:10:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N5935

  • 別名:

    2N5935三極管、2N5935晶體管、2N5935晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)_]

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    90V

  • 最大電流允許值:

    30A

  • 最大工作頻率:

    >30MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BDW30,BDY29,BDY58,MJ802,2N6249,2N6259,2N6322,2SD797,3DK108D,

  • 最大耗散功率:

    175W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    90

  • htest:

    30000100

  • atest:

    30

  • wtest:

    175

2N5935規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 30A

? Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max)@ IC= 20A

APPLICATIONS

? Designed for use in power switching circuits,audio amplifiers, series and shunt-regulators, driver and output stages,DC-DC converters, inverters, and solenoid /relay driver service.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N5935

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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