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2N5961

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5961SeriestypesareEpoxyMoldedSiliconNPNTransistorsmanufacturedbytheepitaxialPlanarProcessdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighgain(hFE)andlownoise.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N5961

NPNGeneralPurposeAmplifier

NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseaslownoise,highgain,general purposeamplifiersrequiringcollectorcurrentsto50mA.Sourced fromProcess07.See2N5088forcharacteristics.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    2N5961_Q

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
仙童
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更多2N5961_Q供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 16:30:00