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2N6055分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N6055
廠商型號

2N6055

參數(shù)屬性

2N6055 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 8A TO3

功能描述

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

135.19 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Comset Semiconductor
企業(yè)簡稱

COMSET

中文名稱

Comset Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-25 16:20:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N6055

  • 別名:

    2N6055三極管、2N6055晶體管、2N6055晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BDV65,BDX63,BDX65,FH8C,MJ1000,MJ1001,TIP140,

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    100

2N6055規(guī)格書詳情

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON

The 2N6053 is a silicon epitaxial base PNP transistor in monolithic Darlington configuration and are mounted in Jedec TO-3 metal case.

They are intended for use in power linear and switching applications.

The complementary NPN type is the 2N6055

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6055 PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 80mA,8A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 4A,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    4MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 8A TO3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
2N6057
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