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2N6313中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2N6313
廠商型號(hào)

2N6313

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS

文件大小

95.36 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-23 16:18:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N6313

  • 別名:

    2N6313三極管、2N6313晶體管、2N6313晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    >4MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    BD244A,BD540A,BD598,BD608,BD950,2N5955,2SB550,3CD81C,

  • 最大耗散功率:

    75W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-8

  • vtest:

    60

  • htest:

    4000100

  • atest:

    5

  • wtest:

    75

2N6313規(guī)格書(shū)詳情

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS

..designed for general-purpose power amplifier and switching applications.

FEATURES:

* Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A

* Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A

* LowLeakage Current- lcex =0.1 mA(Max)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2N6313

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon PNP Power Transistors

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MOT
23+
CAN
5628
原廠原裝
詢價(jià)
24+
TO-66
10000
全新
詢價(jià)
MOT
23+
TO-66
5000
原裝正品,假一罰十
詢價(jià)
SML
2020+
TO-66
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
詢價(jià)
ADI
23+
N/A
7000
詢價(jià)
Microchip
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
MOT
24+
CAN
18700
詢價(jià)
TI
QFP
6850
萊克訊每片來(lái)自原廠原盒原包裝假一罰十價(jià)優(yōu)
詢價(jià)
MOT
24+
CAN
2257
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
詢價(jià)
MOTOROLA/摩托羅拉
20+
TO-66
67500
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
詢價(jià)

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