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2N6313 | POWER TRANSISTORS(5A,75W) COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0. | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
2N6313 | COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0. | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | |
2N6313 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-66package ?Lowcollectorsaturationvoltage ?Lowleakagecurrent APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
2N6313 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-66package ?Lowcollectorsaturationvoltage ?Lowleakagecurrent APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
2N6313 | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO66MetalPackage. BipolarPNPDevice. VCEO=60V IC=5A | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | |
2N6313 | Power Transistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N6313 | COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6313 | COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6313 | Silicon PNP Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
2N6313 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
>4MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
BD244A,BD540A,BD598,BD608,BD950,2N5955,2SB550,3CD81C,
- 最大耗散功率：
75W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
E-8
- vtest：
60
- htest：
4000100
- atest：
5
- wtest：
75
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
2N6313
- 制造商：
ISC
- 制造商全稱：
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述：
Silicon PNP Power Transistors
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-66 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
MOT/MSC |
24+ |
TO-66 |
1000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
20+ |
TO-66 |
67500 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
ASI |
23+ |
TO-02 |
66800 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價(jià) | ||
TI |
QFP |
6850 |
萊克訊每片來(lái)自原廠原盒原包裝假一罰十價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
24+ |
長(zhǎng)期備有現(xiàn)貨 |
500000 |
行業(yè)低價(jià),代理渠道 |
詢價(jià) | |||
MOTOROLA |
專業(yè)鐵帽 |
TO-66 |
1200 |
原裝鐵帽專營(yíng),代理渠道量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
2000 |
25 |
詢價(jià) | |||||
MOT |
18+ |
CAN |
2257 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) |
