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2N651分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2N651
廠商型號(hào)

2N651
參數(shù)屬性

2N651 封裝/外殼為T(mén)O-204AA，TO-3；包裝為散裝；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：POWER BJT
功能描述

alloy-junction germanium transistors
封裝外殼

TO-204AA，TO-3
文件大小

267.79 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 List of Unclassifed Manufacturers
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ETC1【etc未分類(lèi)制造商】

中文名稱(chēng)

未分類(lèi)制造商
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2025-3-25 9:01:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N6510

  • 別名：

    2N651三極管、2N651晶體管、2N651晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    250V

  • 最大電流允許值：

    7A

  • 最大工作頻率：

    >3MHZ

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號(hào)：

    BU211,BU221,BUX18(A),BUX18(B),BUX18(C),BUX43,BUX44,BUY23,BUY75,2SC3041,3DK209E,

  • 最大耗散功率：

    120W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    E-44

  • vtest：

    250

  • htest：

    3000100

  • atest：

    7

  • wtest：

    120

2N651規(guī)格書(shū)詳情

[INTEX/ SEMITRONICS CORP]

alloy-junction germanium transistors

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N6511

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 800μA， 4mA

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-204AA，TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-204AD（TO-3）

  • 描述：

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CJ/長(zhǎng)電
22+
TO-92
15000
原裝正品現(xiàn)貨,可開(kāi)13點(diǎn)稅
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