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2N651 | alloy-junction germanium transistors [INTEX/SEMITRONICSCORP] alloy-junctiongermaniumtransistors | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商 | ETC1 | |
2N651 | GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUMPNPMESATRANSISTORS GERMABIUMPNPSMALLSIGNALTRANSISTORS | AMMSEMI American Microsemiconductor | AMMSEMI | |
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Highbreakdownvoltage ·Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ·Foruseinswitchingpowersupplyapplicationsandotherinductiveswitchingcircuits | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3package ?Highbreakdownvoltage ?Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ?Foruseinswitchingpowersupplyapplicationsandotherinductiveswitchingcircuits | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max.)@IC=4A ?Colletor-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=250V(Min.) ?FastSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Designedforuseinoff-linepowersupplies,highvoltageinverters,switchingregulators,ignitionsystemsandd | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3package ?Highbreakdownvoltage ?Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ?Foruseinswitchingpowersupplyapplicationsandotherinductiveswitchingcircuits | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max.)@IC=4A ?Colletor-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=300V(Min.) ?FastSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Designedforuseinoff-linepowersupplies,highvoltageinverters,switchingregulators,ignitionsystemsandd | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3package ?Highbreakdownvoltage ?Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ?Foruseinswitchingpowersupplyapplicationsandotherinductiveswitchingcircuits | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
SI NPN POWER BJT Description:SiNPNPowerBJT,I(C)=5Ato9.9A | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max.)@IC=4A ?Colletor-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=350V(Min.) ?FastSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Designedforuseinoff-linepowersupplies,highvoltageinverters,switchingregulators,ignitionsystemsandde | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Ge-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
45V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
AC128,AC153,AC193,2N1189,2N1190,2SB405ST,3AX55B,
- 最大耗散功率：
0.2W
- 放大倍數(shù)：
β>45
- 圖片代號：
D-9
- vtest：
45
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
0.2
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
2N651
- 制造商：
Motorola Inc
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA |
24+ |
CAN3 |
1000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
1000 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價 | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
67500 |
鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
MOT |
2339+ |
CAN3 |
8858 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存! |
詢價 | ||
ON |
24+ |
TO-92 |
6000 |
進(jìn)口原裝正品假一賠十,貨期7-10天 |
詢價 | ||
MOTOROLA |
15 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | ||||
長電 |
2020+ |
TO-92 |
182000 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-92 |
5000 |
只做原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 |
