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2N6512分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N6512
廠商型號

2N6512

參數(shù)屬性

2N6512 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

Bipolar NPN Device

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

11.28 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 Seme LAB
企業(yè)簡稱

SEME-LAB

中文名稱

Seme LAB官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-10 17:03:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N6512

  • 別名:

    2N6512三極管、2N6512晶體管、2N6512晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    350V

  • 最大電流允許值:

    7A

  • 最大工作頻率:

    >3MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BU211,BU221,BUX18A,BUX18B,BUX18C,BUX43,BUX44,BUY23,BUY75,2SC3041,3DK209G,

  • 最大耗散功率:

    120W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    350

  • htest:

    3000100

  • atest:

    7

  • wtest:

    120

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6512

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 800mA, 4A

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 4A, 3V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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