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2N6668G

Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60??0 V, 65 W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain? hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)?2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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Darlington Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min)@IC=-5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-80V(Min) ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-5A ·ComplementtoType2N6388 APPLICATIONS ·Designedforgener

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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DarlingtonSiliconPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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DarlingtonPowerTransistor

[multicomp] 10AmpereDarlingtonPowerTransistorsPNPSilicon80Volts65Watts PlasticMedium-PowerSiliconTransistorsaredesignedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features: ?Collector-EmitterSustainingVoltage VCEO(sus)=80V(Minim

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

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DarlingtonSiliconPowerTransistorsPNPSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS10A,60??0V,65W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain? hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)?2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

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PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS

PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2N6668G

  • 功能描述：

    達(dá)林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power PNP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2N6668G供應(yīng)商 更新時間2025-4-18 17:14:00

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