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2N7370分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N7370
廠商型號

2N7370

參數(shù)屬性

2N7370 封裝/外殼為TO-254-3,TO-254AA;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

封裝外殼

TO-254-3,TO-254AA

文件大小

62.56 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 23:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N7370

  • 別名:

    2N7370三極管、2N7370晶體管、2N7370晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性質(zhì):

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    12A

  • 最大工作頻率:

    10MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

    β=1000-1800

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    100

  • htest:

    10000000

  • atest:

    12

  • wtest:

    0

2N7370規(guī)格書詳情

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/624

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N7370

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/624

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 120mA,12A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 6A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-254-3,TO-254AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-254AA

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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