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2SA1162GRT_TOSHIBA/東芝_兩極晶體管 - BJT Transistor一線半導(dǎo)體
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
2SA1162GRT
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT Transistor
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
云S/廖S
- 手機:
19168775913
- 詢價:
- 電話:
0755-88608801
- 傳真:
0755-88608801
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號華強花園C座7A
相近型號
- 2SA1162-GRLXHF
- 2SA1162GRT-TOS
- 2SA1162-GRLF(T
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- 2SA1162-GRIC
- 2SA1162GRIC
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- 2SA1162-SG
- 2SA1162-GR,LF
- 2SA1162SG(200-400)
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- 2SA1162S-GRLF(D
- 2SA1162-GR(TE85L,F)
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- 2SA1162SY(120-240)
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- 2SA1162S-Y,LF
- 2SA1162-GR(T5LHI,F
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