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AudioFrequencyAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1203

TRANSISTOR(PNP)

TRANSISTOR(PNP) FEATURES Complementaryto2SC2883 SmallFlatPackage AudioFrequencyAmplifierApplication

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1203

AudioFrequencyAmplifierApplications

AudioFrequencyAmplifierApplications Features ●SuitableForOutputStageof3WattsAmplifier ●SmallFlatPackage ●PC=1to2W(mountedonceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC2883

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SA1203

AudioFrequencyAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1203

Plastic-EncapsulateTransistors

SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

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TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERAPPLICATIONS)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1203

SiliconPlanarEpitaxialTransistor

FEATURES Suitableforoutputstageof3watts amplifier Suitableflatpackage PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate) Complementaryto2SC2883

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SA1203

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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NewJerseySemi-ConductorProducts,

NewJerseySemi-ConductorProducts

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2SA1203

AudioFrequencyAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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SOT89
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更多2SA1203-V供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 14:57:00

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