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2SA1213PT	文件：154.9 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE50VoltsCURRENT2Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-62/SOT-89) LowsaturationvoltageVCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=-1A) Highspeedswitchingtime:tstg=1.0uSec(typ.) PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate). Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Power	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
2SA1213	文件：1.00251 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistors Features ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=1.0us(typ.) ●SmallFlatPackage ●PC=1to2W(mountedonceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC2873	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風微電子廣東佑風微電子有限公司	YFWDIODE
2SA1213	文件：642.52 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR竊?NP竊 FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SA1213	文件：1.5215 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementaryto2SC2873 ●SmallFlatPackage ●PowerAmplifierandSwitchingApplications ●LowSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SA1213	文件：173.38 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPlanarEpitaxialTransistor FEATURES ●Lowsaturationvoltage ●Highspeedswitchingtime ●Smallflatpackage ●PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC2873	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SA1213	文件：200.71 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=?0.5V(max)(IC=?1A) ?Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Smallflatpackage ?PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) ?Complementaryto2SC2873	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1213	文件：146.29 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPlanarEpitaxialTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SA1213	文件：949.08 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Lowcollectorsaturationvoltage,Highspeedswitchingtime,smallflatpackage,Complementaryto2SC2873. Applications Poweramplifierandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SA1213	文件：584.14 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementaryto2SC2873 ●SmallFlatPackage ●PowerAmplifierandSwitchingApplications ●LowSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SA1213	文件：75.63 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-50V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SA1213	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	NewJerseySemi-ConductorProducts, NewJerseySemi-ConductorProducts	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2SA1213	文件：189.21 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementaryto2SC2873 ●SmallFlatPackage ●PowerAmplifierandSwitchingApplications ●LowSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司	HTSEMI
2SA1213	文件：200.71 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1213	文件：501.6 Kbytes Page：3 Pages	PowerSwitchingApplications Features ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=1.0us(typ.) ●SmallFlatPackage ●PC=1to2W(mountedonceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC2873	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SA1213	文件：289.44 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconMediumPowerTransistor Features Lowpowerdissipation0.5W CollectorCurrent-2A Stucture Epitaxialplanartype. PNPsilicontransistor.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1213	文件：169.57 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1213	文件：66.51 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-50V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA1213	文件：203.43 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(POWERAMPLIFIER,SWITCHINGAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=?0.5V(max)(IC=?1A) ?Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Smallflatpackage ?PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) ?Complementaryto2SC2873	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1213A	文件：2.78316 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●Complementaryto2SC2873A ●SmallFlatPackage ●PowerAmplifierandSwitchingApplications ●LowSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
2SA1213AO	文件：2.78316 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●Complementaryto2SC2873A ●SmallFlatPackage ●PowerAmplifierandSwitchingApplications ●LowSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY

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供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市安富世紀電子有限公司	2SA1213PT	CHENMKO	23+	SOT89	7600	專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價

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