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2SA1943B-O-AL-N-D	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	Power Amplifier Applications FEATURES ●Highcollectorvoltage：VCEO=230V(min)VCEO=250V(min) ●Complementaryto2SC5200 ●Recommendedfor100Waudiofrequencyamplifieroutput ●RoHSproduct APPLICATIONS ●PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
2SA1943B-O-AL-N-D	文件：284.24 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
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2SA1943C-O-AL-N-D	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerAmplifierApplications FEATURES ●Highcollectorvoltage：VCEO=230V(min)VCEO=250V(min) ●Complementaryto2SC5200 ●Recommendedfor100Waudiofrequencyamplifieroutput ●RoHSproduct APPLICATIONS ●PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
2SA1943N	文件：1.08585 Mbytes Page：4 Pages	150WattSiliconEpitaxialPlanarPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·WithTO-3PN-SQpackage ·Complementtotype2SC5200N APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
2SA1943N	文件：274.98 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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2SA1943-OQ	文件：229.6 Kbytes Page：3 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS PowerAmplifierApplications ?Highcollectorvoltage:VCEO=?230V(min) ?Complementaryto2SC5200 ?Recommendedfor100-Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SA1943OTU	文件：215.59 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Applications ?High-FidelityAudioOutputAmplifier ?GeneralPurposePowerAmplifier Features ?HighCurrentCapability:IC=-15A. ?HighPowerDissipation:150watts. ?HighFrequency:30MHz. ?HighVoltage:VCEO=-230V ?WideS.O.Aforreliableoperation. ?Ex	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2SA1943OTU	文件：247.8 Kbytes Page：7 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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