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2SA812	文件：333.78 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTOR PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR MINIMOLD FEATURES ?Complementaryto2SC1623 ?HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=?6.0V,IC=?1.0mA) ?HighVoltage:VCEO=?50V ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25°C) CollectortoBaseVoltageVCBO?60V CollectortoEmitterVoltageVCEO?50	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SA812	文件：443.2 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistor Features ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風微電子廣東佑風微電子有限公司	YFWDIODE
2SA812	文件：1.70898 Mbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟南晶恒電子有限責任公司	JINGHENG
2SA812	文件：2.3639 Mbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ?Commplementaryto2SC1623. ?HighDCcurrentgain:hFE=200typ.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ?HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ?Audiofrequency,generalpurposeamplifier.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
2SA812	文件：1.12207 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Commplementaryto2SC1623. ●HighDCcurrentgain:hFE=200typ. (VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ●Audiofrequency,generalpurposeamplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
2SA812	文件：175.65 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SA812	文件：626.96 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Complementarypairwith2SC1623. Applications Audiofrequencyamplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SA812	文件：306.61 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SA812	文件：723.93 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features: 1.hFEishigh,hFE=200(TYP)VCE=-6V,IC=-1mA; 2.Highvoltage,VCEO=-50V; Applications: Forgeneralamplification,itiscomplementaryto2SC1623.	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 三聯(lián)盛科技股份深圳市三聯(lián)盛科技股份有限公司	SHENZHENSLS
2SA812	文件：844.45 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?Complementaryto2SC1623 ?HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ?HighVoltage:Vceo=-50V	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SA812	文件：219.91 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SA812	文件：221.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor ■FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壯桂微電子有限責任公司	GSME
2SA812	文件：136.58 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-60V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SA812	文件：1.60188 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SA812	文件：294.38 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
2SA812	文件：211.78 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SA812	文件：228.57 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforaudiofrequencyamplifierapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2SA812	文件：382.47 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementaryto2SC1623 ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ●HighVoltage:Vceo=-50V	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司	HTSEMI
2SA812	文件：123.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistor Features ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SA812	文件：253.17 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Commplementaryto2SC1623. ●HighDCcurrentgain:hFE=200typ.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ●Audiofrequency,generalpurposeamplifier.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN

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詳細參數(shù)

型號：
2SA812-A
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
SEMICONDUCTOR, DESCRETE, TRANSISTOR, PNP

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	2SA812-A-M6/M7	NEC	24+	SOT-23	90000		詢價
深圳市弘為電子有限公司	2SA812A\M5	NEC	16+	SOT-23	9000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市粵科源興科技有限公司	2SA812A-A	NEC	13+	NA	19258	原裝分銷	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SA812A-A	NEC	23+	SOT-23	388888	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	2SA812A-T1B	NEC			11820	原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)	詢價
深圳市凌旭科技有限公司	2SA812A-T1B	NEC	2016+	SOT-23	3000	公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票!	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	2SA812A-T1B	NEC	2020+	SOT-23	6000	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	2SA812A-T1B	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	2SA812A-T1B	NEC	1822+	SOT-23	6852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	2SA812A-T1B	NEC	20+	SOT23	32970	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價

更多2SA812-A供應商更新時間2024-12-23 16:30:00

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