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2SA812	文件：333.78 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTOR PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR MINIMOLD FEATURES ?Complementaryto2SC1623 ?HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=?6.0V,IC=?1.0mA) ?HighVoltage:VCEO=?50V ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25°C) CollectortoBaseVoltageVCBO?60V CollectortoEmitterVoltageVCEO?50	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SA812	文件：443.2 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistor Features ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
2SA812	文件：1.70898 Mbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟南晶恒電子有限責(zé)任公司	JINGHENG
2SA812	文件：2.3639 Mbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ?Commplementaryto2SC1623. ?HighDCcurrentgain:hFE=200typ.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ?HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ?Audiofrequency,generalpurposeamplifier.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
2SA812	文件：1.12207 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Commplementaryto2SC1623. ●HighDCcurrentgain:hFE=200typ. (VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ●Audiofrequency,generalpurposeamplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
2SA812	文件：175.65 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SA812	文件：626.96 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Complementarypairwith2SC1623. Applications Audiofrequencyamplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SA812	文件：306.61 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SA812	文件：723.93 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features: 1.hFEishigh,hFE=200(TYP)VCE=-6V,IC=-1mA; 2.Highvoltage,VCEO=-50V; Applications: Forgeneralamplification,itiscomplementaryto2SC1623.	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 三聯(lián)盛科技股份深圳市三聯(lián)盛科技股份有限公司	SHENZHENSLS
2SA812	文件：844.45 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?Complementaryto2SC1623 ?HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ?HighVoltage:Vceo=-50V	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SA812	文件：219.91 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SA812	文件：221.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor ■FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壯桂微電子有限責(zé)任公司	GSME
2SA812	文件：136.58 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-60V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SA812	文件：1.60188 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SA812	文件：294.38 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
2SA812	文件：211.78 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SA812	文件：228.57 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforaudiofrequencyamplifierapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2SA812	文件：382.47 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementaryto2SC1623 ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ●HighVoltage:Vceo=-50V	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
2SA812	文件：123.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistor Features ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SA812	文件：253.17 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Commplementaryto2SC1623. ●HighDCcurrentgain:hFE=200typ.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ●Audiofrequency,generalpurposeamplifier.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN

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詳細參數(shù)

型號：
2SA812L
制造商：
NEC
功能描述：
*

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市匯萊威科技有限公司	2SA812LT1		GSME	SOT-23	608900	原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價
深圳市福安甌科技有限公司	2SA812-L	NEC	22+	TSOP	2500	強調(diào)現(xiàn)貨,隨時查詢	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SA812-L	NEC	24+	SOT-23	15200	新進庫存/原裝	詢價
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	2SA812-L	NEC	24+	TSOP	2987	只售原裝自家現(xiàn)貨!誠信經(jīng)營!歡迎來電	詢價
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團有限公司	2SA812-L	NEC	21+	SOT23	700	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市萊克訊科技有限公司	2SA812-L	SAMSUNG	1922+	SOT-23	35689	原裝進口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨	詢價
深圳市能創(chuàng)芯電子科技有限公司	2SA812-L	NEC	23+	SOT-23	12000	原裝正品假一罰百!可開增票!	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SA812-L	NEC	23+	SOT-23	5000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價
深圳廊盛科技有限公司	2SA812-L	NEC	22+	SOT23-3	50000	只做原裝正品,假一罰十,歡迎咨詢	詢價
深圳市賽美科科技有限公司	2SA812-L	NEC		NA	8560	一級代理原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨	詢價

更多2SA812L供應(yīng)商更新時間2025-1-11 16:42:00

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