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2SA949

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-150V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=-0.8V(Max)@IC=-10mA APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SA949

Driver-StageAudioAmplifierApplicationsHigh-VoltageSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SA949

TRANSISTOR(DRIVERSTAGEAUDIOAMPLIFIER,HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATIONS)

Driver-StageAudioAmplifierApplications High-VoltageSwitchingApplications ?Highbreakdownvoltage:VCEO=?150V ?Lowoutputcapacitance:Cob=5.0pF(max) ?Hightransitionfrequency:fT=120MHz(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SA949Y

  • 功能描述：

    TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92VAR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多2SA949Y供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-2 16:30:00

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