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2SB1182-R-TP

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 32V 2A DPAK

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1182

Mediumpowertransistor(-32V,-2A)

●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182

MediumpowerTransistor(32V,2A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182

TO-252-2L(4R)Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerDissipation

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

2SB1182

Mediumpowertransistor(32V,2A)

Mediumpowertransistor(?32V,?2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182

Mediumpowertransistor(32V,2A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complements2SD1758/2SD1862.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182

MEDIUMPOWERLOWVOLTAGETRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SB1182isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. FEATURES *Highcurrentoutputupto3A *Lowsaturationvoltage

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1182

MediumPowerTransistor

FEATURES ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ)(IC/IB=-2A/-0.2A) ●Complementsthe2SD1758 APPLICATIONS ●Epitaxialplanartype. ●PNPsilicontransistor.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SB1182

Mediumpowertransistor(32V,2A)

Mediumpowertransistor(?32V,?2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ?Smallandslimpackage ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Powerdissipation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2SB1182-R-TP

  • 制造商：

    Micro Commercial Co

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    800mV @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    82 @ 500mA，3V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    TRANS PNP 32V 2A DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Micro Commercial Co
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TO-252-3 DPak(2 引線 + 接片
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更多2SB1182-R-TP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-17 14:08:00

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