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2SB1184	文件：39.87 Kbytes Page：1 Pages	Power transistor Features ●LowVCE(sat). ●PNPsilicontransistor. ●Epitaxialplanartype	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1184	文件：470.55 Kbytes Page：4 Pages	PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS Features: *LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.2A)	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SB1184	文件：129.36 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (-60V, -3A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1760/2SD1864/2SD1762. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1184	文件：333.09 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ?LowVCE(sat) ?Smallandslimpackage ?Complementsthe2SD1760/2SD1864 ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Powerdissipation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SB1184	文件：76.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1184	文件：730.91 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SB1184	文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (-60V, -3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1184	文件：1.08954 Mbytes Page：4 Pages	TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SB1184	文件：244.61 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (-60V, -3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1184	文件：95.47 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (−60V, −3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1184	文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (-60V, -3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1184	文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (-60V, -3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1184F5	文件：175.71 Kbytes Page：3 Pages	Epitaxial Planar PNP Silicon Transistors Lowcollectorsaturationvoltage: Voeea=-0.5V(Typj (lc/lB一一2A/一0.2AJ Complementarypairwith2SD1760F5.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1184-P	文件：596.28 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?LowCollectorSaturationVoltage ?Execllentcurre	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2SB1184-P	文件：76.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1184-Q	文件：596.28 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?LowCollectorSaturationVoltage ?Execllentcurre	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2SB1184-Q	文件：76.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1184-R	文件：596.28 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?LowCollectorSaturationVoltage ?Execllentcurre	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2SB1184-R	文件：76.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1184TLR	文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.5V (Typ.)(IC/IB = -2A / -0.2A), Complements the 2SD1760 / 2SD1864. Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1760/2SD1864. Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM

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晶體管資料

型號：
2SB1184
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
3A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
可代換的型號：
2SA1385,2SB906,2SB929,2SB1202,
最大耗散功率：
15W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
NO
vtest：
60
htest：
999900
atest：
3
wtest：
15

詳細(xì)參數(shù)

型號：
2SB1184
制造商：
ROHM
制造商全稱：
Rohm
功能描述：
Power Transistor(−60V, −3A)

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市卓越微芯電子有限公司	2SB1184	ROHM	2020+	TO-252	9600	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	2SB1184	ROHM/羅姆	24+	TO-252	5700	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
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深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	2SB1184	ROHM/羅姆	21+	TO-252	9800	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價
深圳市特瑞斯科技有限公司	2SB1184	長電	23+	TO-252	72500	一級分銷商	詢價
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SB1184	ROHM	24+	TO-252	8700	新進(jìn)庫存/原裝	詢價
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更多2SB1184供應(yīng)商更新時間2024-12-22 14:08:00

晶體管資料

詳細(xì)參數(shù)

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