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2SB1201	文件：47.23 Kbytes Page：2 Pages	High-Current Switching Applications ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●Fastswitchingspeed. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Complementaryto2SD1801	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1201	文件：123.84 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications Features ·AdoptionofFBET,MBITprocesses. ·LargecurrentcapacityandwideASO. ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ·Fastswitchingspeed. ·Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-usedsetssmaller. Applications ·Voltageregulators,relaydrivers,lam	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
2SB1201	文件：252.08 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ?LargecurrentcapacitanceandwideASO ?Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-usedsetsmaller ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceand	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SB1201	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (–)50V,(–)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?LargecurrentcapacitanceandwideASO ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SB1201	文件：359.46 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.7V(Max)@IC=-1A ·GoodLinearityofhFE ·LargeCollectorCurrentIC ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SB1201	文件：327.4 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.7V(Max)@IC=-1A ·GoodLinearityofhFE ·LargeCollectorCurrentIC ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SB1201-251	文件：359.46 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.7V(Max)@IC=-1A ·GoodLinearityofhFE ·LargeCollectorCurrentIC ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SB1201-252	文件：327.4 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.7V(Max)@IC=-1A ·GoodLinearityofhFE ·LargeCollectorCurrentIC ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SB1201S-E	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (–)50V,(–)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?LargecurrentcapacitanceandwideASO ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SB1201S-E	文件：347.77 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.4V(Max)@IC=-1A ·GoodLinearityofhFE ·LargeCollectorCurrentIC ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SB1201S-TL-E	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (–)50V,(–)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?LargecurrentcapacitanceandwideASO ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SB1201T-E	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (–)50V,(–)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?LargecurrentcapacitanceandwideASO ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SB1201T-TL-E	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (–)50V,(–)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses ?LargecurrentcapacitanceandwideASO ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SB1201_15	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1201-R	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1201-S	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1201-T	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1201-U	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1201S-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS PNP 50V 2A TP-FA	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2SB1201T-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS PNP 50V 2A TP	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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晶體管資料

型號：
2SB1201
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
2A
最大工作頻率：
150MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SA1241,2SB928,2SB1184,
最大耗散功率：
15W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-80
vtest：
60
htest：
150000000
atest：
2
wtest：
15

詳細(xì)參數(shù)

型號：
2SB1201
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY SANYO TRANSISTORSC-64TP -60V -2A 15W BCE

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SB1201	SANYO	24+	SOT252	20000		詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	2SB1201	KEXIN	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
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深圳市近平電子有限公司	2SB1201	SANYO	12+	TO-252	2500	原裝現(xiàn)貨/特價	詢價
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深圳市鼎欣微電子有限公司	2SB1201	SANYO/三洋	21+	TO-252	30000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價
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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SB1201	SANYO/三洋	23+	SOT252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
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更多2SB1201供應(yīng)商更新時間2024-11-15 10:50:00

晶體管資料

詳細(xì)參數(shù)

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