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2SB1261

SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SB1261

PNPSiliconEpitaxialTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1261

TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

2SB1261-I

iscSiliconPNPPowerTransistors

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1261-K

LowCollectorSaturationVoltage

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1261L

SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SB1261-Z

SILICONPOWERTRANSISTOR

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SB1261-Z

PNPSiliconEpitaxialTransistor

■Features ●HighhFEhFE=100to400 ●LowVCE(sat)VCE(sat)≤0.3V

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SB1261-Z

Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SB1261-Z

PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORMP-3

DESCRIPTION The2SB1261-ZisdesignedforAudioFrequencyAmplifierandSwitching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES ?HighhFEhFE=100to400 ?LowVCE(sat)VCE(sat)≤0.3V

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SB1261-L-AZ

  • 制造商：

    Renesas Electronics Corporation

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEC
24+
TO-252
16800
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中性
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SOT-23
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
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BLUE ROCKET(藍(lán)箭)
2112+
TO-252
105000
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藍(lán)箭
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藍(lán)箭
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藍(lán)箭
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TO-252
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原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多2SB1261-L-AZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-31 15:04:00

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