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2SB1308

Power Transistor (-50V, -3A)

Features 1)Lowsaturationvoltage,typically VCE(sat)=?0.45V(Max.)atIC/IB=?1.5A/?0.15A. 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD1963.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SB1308

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-3A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SB1308

Power Transistor

■Features ●PowerTransistor ●ExcellentDCcurrentGain ●LowCollector-emitterSaturationVoltage

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SB1308

TRANSISTOR

FEATURES ●PowerTransistor ●ExcellentDCcurrentGain ●LowCollector-emitterSaturationVoltage

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

2SB1308

SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PowerTransistor ●ExcellentDCcurrentGain ●LowCollector-emitterSaturationVoltage ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威倫威倫電子股份有限公司

2SB1308

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PowerTransistor ●ExcellentDCcurrentGain ●LowCollector-emitterSaturationVoltage

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SB1308

PowerTransistor

FEATURES ●Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=-0.45(Max)atIC/IB=-1.5A/-0.15A ●ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. ●Complementarythe2SD1963.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2SB1308

TRANSISTOR (PNP)

FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-3A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

2SB1308

Marking：BFP；Package：SOT-89；Power Transistor(-50V,-3A)

FEATURES Lowsaturationvoltage,typically VCE(sat)=-0.45(Max)atIC/IB=-1.5A/-0.15A ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. Complementarythe2SD1963.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SB1308-P

PNP Plastic-Encapsulate Transistors

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Powerdissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) ?Collectorcurrent:ICM=-3A ?Collector-basevoltage:V(BR)CBO

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SB1308

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    120MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SB1073,2SB1302,

  • 最大耗散功率：

    0.75W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-100

  • vtest：

    30

  • htest：

    120000000

  • atest：

    5

  • wtest：

    0.75

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SB1308

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ROHM/羅姆
20+
SOT-89
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價
ROHM/羅姆
24+
SOT-89
33500
全新進口原裝現(xiàn)貨,假一罰十
 詢價
ROHM
24+
SOT-89
6348
新進庫存/原裝
 詢價
ROHM
23+
SOT-89
31000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
ROHM
2016+
SOT89
6000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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KEXIN
23+
NA
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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ROHM
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SOT-89
63000
原裝正品現(xiàn)貨
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