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2SB1375,CLARIONF(M

包裝：散裝 封裝/外殼：TO-220-3 整包 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 60V 3A TO220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375

TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25℃) Lowvoltage:VCE(sat)=-1.5V(Max)(IC=-2A,IB=-0.2A) CollectorMetal(Fin)isCoverdwithMoldRegin Complementaryto2SD2012

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SB1375

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) ?CollectorPowerDissipation- :Pc=25W@Tc=25°C ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)--1.5V(Max)@(|c=-2A,IB=-0.2A) ?ComplementtoType2SD2012 APPLICATIONS ?Designedforaudiofrequencypo

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2SB1375

SiliconPNPtransistorinaTO-220FPlasticPackage.

Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Features LowVCE(sat),HighPC,complementarypairwith2SD2012. Applications Audiofrequencypoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SB1375

TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25℃) ?Lowvoltage:VCE(sat)=-1.5V(Max)(IC=-2A,IB=-0.2A) ?CollectorMetal(Fin)isCoverdwithMoldRegin ?Complementaryto2SD2012

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SB1375

SiliconPNPPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SB1375

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Fpackage ?Complementtotype2SD2012 ?Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max)atIC=-2A,IB=-0.2A ?Collectorpowerdissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ?Audiofrequencypoweramplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1375

TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIER)

AudioFrequencyPowerAmplifier ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=?1.5V(max) (IC=?2A,IB=?0.2A) ?Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C) ?Collectormetal(fin)iscoveredwithmoldresin ?Complementaryto2SD2012

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SB1375

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Fpackage ?Complementtotype2SD2012 ?Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max)atIC=-2A,IB=-0.2A ?Collectorpowerdissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ?Audiofrequencypoweramplifier

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SB1375

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Fpackage ?Complementtotype2SD2012 ?Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max)atIC=-2A,IB=-0.2A ?Collectorpowerdissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ?Audiofrequencypoweramplifier

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2SB1375

SiliconPNPTripleDiffusedType

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SB1375,CLARIONF(M

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 500mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    9MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220NIS

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 3A TO220NIS

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Toshiba Semiconductor and Stor
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更多2SB1375,CLARIONF(M供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-10 15:00:00

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