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2SB1386

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage, ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

2SB1386

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SB1386

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES ?Lowcollectorsaturationvoltage, ?Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

2SB1386

SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威倫威倫電子股份有限公司

2SB1386

Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentDCcurrentgain,complementsthe2SD2098. Applications Generalpoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SB1386

Marking：BHP；Package：SOT-89-3L；Low collector saturation voltage

FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

2SB1386

Marking：BH*；Package：SOT-89；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●LowVCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. ●Complementary:2SD2098. APPLICATIONS ●Lowfrequencytransistor.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2SB1386

PNP Transistors

Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

2SB1386

Marking：BHP；Package：SOT-89；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES LowVCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. Complementary:2SD2098. APPLICATIONS Lowfrequencytransistor.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SB1386

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Lowcollectorsaturationvoltage Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SB1386

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質：

    表面帖裝型 （SMD）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    120MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SB1302,2SB1308,

  • 最大耗散功率：

    0.75W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-100

  • vtest：

    30

  • htest：

    120000000

  • atest：

    5

  • wtest：

    0.75

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SB1386

  • 制造商：

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述：

    TRANSISTOR

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SECOSGMBH
24+
SOT89
263500
一級代理/全新現(xiàn)貨/長期供應!
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