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2SB1411

TRANSISTOR (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS)

SwitchingApplications HammerDrive,PulseMotorDriveApplications ?HighDCcurrentgain:hFE=1500(min)(VCE=?3V,IC=?1A) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=?1.5V(max)(IC=?1A)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SB1411

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Fpackage ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain ?Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ?Switchingapplications ?Hammerdrive,pulsemotordriveapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SB1411

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-100V(Min) ?HighDCCurrentGain- :hFE=1500(Min)@(VCE=-3V,lc=-1A) ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.5V(Max)@(lc=-1A,IB=-2mA) APPLICATIONS ?Highpowerswitchingapplications. ?Hammerdriv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SB1411

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-100V(Min) ?HighDCCurrentGain- :hFE=1500(Min)@(VCE=-3V,lc=-1A) ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.5V(Max)@(lc=-1A,IB=-2mA) APPLICATIONS ?Highpowerswitchingapplications. ?Hammerdriv

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

2SB1412

Marking：TL；Package：CPT3；Low Frequency Transistor(-20V,-5A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SB1412

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Features: *ExcellentDCCurrentGainCharacteristics *LowVCE(Sat)

WEITRON

Weitron Technology

2SB1412

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1412

Low Frequency Transistor

Features ●LowVCE(sat). ●PNPsilicontransistor.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SB1412

PNP Silicon Low Frequency Transistor

Features 1)LowVCE(sat). 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics 3)Complementsthe2SD2118

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1412

TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerAmplifierApplications

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SB1411

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質：

    開關管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

    BDT60BF,2SB1024,2SB1226,2SB1282,

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍數：

    β=1500-15000

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    2

  • wtest：

    20

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SB141供應商 更新時間2025-3-30 16:00:00

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