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2SB1412L-TN3-E-R

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1412L-TN3-F-R

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1412-TN3-B-R

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1412-TN3-C-R

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1412-TN3-E-R

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1412-TN3-F-R

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1414

Silicon PNP epitaxial planar type

Forlow-frequencydriver/highpoweramplification Complementaryto2SD2134 ■Features ?ExcellentcurrentICcharacteristicsofforwardcurrenttransferratiohFEvs.collector ?HightransitionfrequencyfT ?Allowingautomaticinsertionwithradialtaping

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

2SB1416

Silicon PNP epitaxial planar type

Forlow-frequencypoweramplification Complementaryto2SD2136 ■Features ?HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) ?Allowingautomaticinsertionwithradialtaping

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

2SB1417

Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)

SiliconPNPepitaxialplanartype Forpoweramplification Complementaryto2SD2137and2SD2137A ■Features ●HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●Allowingautomaticinsertionwithradialtaping

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

2SB1417A

Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)

SiliconPNPepitaxialplanartype Forpoweramplification Complementaryto2SD2137and2SD2137A ■Features ●HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●Allowingautomaticinsertionwithradialtaping

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

晶體管資料

  • 型號：

    2SB1400

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    120V

  • 最大電流允許值：

    6A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD652F,BDT62F,2SB1193,2SB1340,

  • 最大耗散功率：

    25W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號：

    B-45

  • vtest：

    120

  • htest：

    999900

  • atest：

    6

  • wtest：

    25

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
TO-220FA
10000
全新
 詢價
HIT
23+
原廠原裝
3000
全新原裝
 詢價
KEC
16+
TO-220
100000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
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TO-220F
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科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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HITACHI/日立
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TO-220F
6000
十年配單,只做原裝
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HITACHI/日立
22+
TO-220F
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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SANYO
23+
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119
專做原裝正品,假一罰百!
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SANYO/三洋
23+
TO-92
988888
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳
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NXP/恩智浦
23+
TO-220
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢價
更多2SB14供應(yīng)商 更新時間2025-5-1 16:00:00

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