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2SB1431

SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-100V(Min) ?HighDCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@(VCE=-2V,IC=-3A) ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.5V(Max)@(lc=-3A,IB=-3mA) APPLICATIONS ?Designedforlow-frequencypoweramplifiersandlo

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

2SB1431

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-100V(Min) ?HighDCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@(VCE=-2V,IC=-3A) ?LowCollectorSaturationVoltage ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation A

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SB1431

SILICONPOWERTRANSISTOR

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SB1431

PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION)FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING

PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SB1431isaDarlingtonpowertransistorthatcandirectlydrivefromtheICoutput.ThistransistorisidealformotordriversandsolenoiddriversinsuchasOAandFAequipm

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

詳細參數

  • 型號：

    2SB1431-K-AZ

  • 制造商：

    Renesas Electronics Corporation

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
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TO220F
50000
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2022
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更多2SB1431-K-AZ供應商 更新時間2025-1-22 11:00:00

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